缓蚀阻垢剂原理
阻垢剂在水中有一定的持久性，随着时间的推移，阻垢剂的某些成分会发生水解、分解或其他化学作用，使阻垢剂的作用降低，所以在补充水时，要加入阻垢剂，即加入阻垢剂，即维持水中有效物浓度。
阻垢剂：对产生泥垢和水垢的药剂称为防垢剂。阻垢机理：阻垢剂的功能团对水垢的组成，阳离子具有螯合作用，封锁阳离子，抑制其与阴离子的反应，防止结垢，同时，阻垢剂对晶核和晶体的活性点有特殊的吸附能力，抑制其生长，只需投加较低的浓度就能显示出效果。这种等效的化学计算作用被称为低限度的效果。
缓蚀阻垢剂无机垢的形成过程可分为下面3个步骤：
1形成过饱和溶液
2生成晶核；
3晶核成长，形成晶体。
这3个步骤中有一个遭到破坏，结垢过程即被减缓或抑制。阻垢剂的作用就是有效阻止这些步骤中的一个或几个，以达到阻垢目的。阻垢剂干扰晶体生长的机理有如下几种说法：
1．螯合增溶作用
螯合增溶作用是指阻垢剂与水中Ca2＋、Mg2＋、Sr2＋、Ba2＋等高价金属离子络合成稳定的水溶性螯合物，使水中游离态钙、镁离子的浓度相应降低，这样就好像使CaCO3等物质的溶解度增大了，本来会析出溶液的CaCO3等物质实际上没有形成沉淀。
所谓阈限效应阻垢是指只需向溶液中加入少量的阻垢剂，就能稳定溶液中大量的结垢离子，它们之间不存在严格的化学计量关系，当阻垢剂的量增至过大时，其稳定阻垢作用并无明显改进。
2．晶格畸变作用
晶体正常形成的过程是微粒子（离子、原子或分子）根据特定的晶格方式进行十分有规则的排列，从而形成外形规则、熔点固定、致密坚固的物质结构。所谓晶格畸变是指在晶体生长的过程中，常常会由于晶体外界的一些原因，而使得晶体存在空位、错位等缺陷或形成镶嵌构造等畸变，其结果使同一晶体的各个晶面发育不等。晶体中这种局部组分的差异会导致晶体内部的应力，晶体本身与镶嵌物质膨胀系数的不同也会导致应力。这些应力使晶体不稳定。当环境发生某些变化时，大晶体便会碎裂成小晶体。
阻垢剂分子由于吸附在位于晶体活性生长点的晶格点阵上，使晶体不能按照晶格排列正常生长，使晶体发生畸变，使晶体的内部应力增大导致晶体破裂，从而防止微晶沉积成垢，达到阻垢目的。
3．吸附与分散作用
阻垢分散剂属于阴离子有机化合物，可因物理化学吸附作用而吸附于胶体颗粒及微晶粒子上，在颗粒表面形成新的双电层，改变颗粒表面原来的电荷状况。于是，因同性电荷相排斥而使它们稳定地分散在水体中。
缓蚀剂分为阳极型缓蚀剂，阴极型缓蚀剂和混合型缓蚀剂。
阳极型缓蚀剂阳极型缓蚀剂阳极型缓蚀剂阳极型缓蚀剂 阳极型缓蚀剂多为无机强氧化剂，如铬酸盐、钼酸盐、钨酸盐、钒酸盐、亚硝酸盐、硼酸盐等。它们的作用是在金属表面阳极区与金属离子作用，生成氧化物或氢氧化物氧化膜覆盖在阳极上形成保护膜。这样就抑制了金属向水中溶解。阳极反应被控制，阳极被钝化。硅酸盐也可归到此类，它也是通过抑制腐蚀反应的阳极过程来达到缓蚀目的的。
阳极缓蚀剂需要较高的浓度，使整个阳极变钝，一旦剂量不够，就会在未钝化的部位引起点蚀。阴极缓蚀剂阴极型缓蚀剂阴极型缓蚀剂阴极型缓蚀剂，被称为阴极缓蚀剂。
缓蚀阻垢剂涉及锌的碳酸盐、磷酸盐及氢氧化物、钙的碳酸盐和磷酸盐。阴极缓蚀剂能与水和金属表面的阴极区反应，反应产物在阴极沉积成膜，随膜增厚，阴极释放电子的反应被阻止。由于钙离子、碳酸根离子和氢氧根离子在水中自然存在，在实际应用中只需将可溶性锌盐或可溶性磷酸盐加入水中即可。
